ICP-200LL 感应耦合反应离子刻蚀系统
    发布时间: 2025-03-14 17:34    
ICP-200LL  感应耦合反应离子刻蚀系统

机台特点


· 整机Footprint:1350mm×740mm

· 工艺运行带自动控压

· 下电极三针结构,带背氦

· 标配内衬,工艺稳定性好

· 支持托盘结构或8寸裸片

· Load-Lock双腔体结构

· 工艺菜单化,自动运行

· 下电极高低温控制,精度±0.1℃


序号

配置项目

ICP-200LLE

ICP-200LLS

ICP-200LLD

1

样片尺寸

8英寸向下兼容

2

SRF源

0~1000W/2000W/3000W自动匹配  13.56MHz

3

BRF源

0~300W/500W自动匹配  13.56MHz

4

分子泵

1200 L/s /1600L/s/定制

5

前级泵

机械油泵

干泵

干泵

6

预抽泵

机械油泵

干泵

干泵

7

工艺控压

不控压/0~1Torr控压

0~1Torr控压

0~1Torr控压

8

气体种类

He/CH4/O2/N2/Ar/SF6/

CF4/CHF3 

He/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/

CHF3/Cl2/BCl3/HBr

He/CF4/SF6/O2/CHF3/

C4F8/Ar/N2

9

气体量程

0~50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/定制

10

Load-Lock

11

样片控温

10°C ~室温

-30°C~200°C/定制

-30°C~室温/定制

12

背氦冷却

无/有

13

工艺内衬

有内衬

14

控制系统

扁平化界面设计,带工艺菜单,支持多步工艺,数据记录,异常报警,三级管理权限

15

交互界面

进口ELO 15寸电容触摸屏,角度可调

16

蚀刻材料

硅基材料:

Si/Poly-Si/SiNx/SiO2/SiC

有机材料:

Polymer/PR/SU8/PMMA

炭基材料:

金刚石/类金刚石/石墨烯

硅基材料:

Si/ Poly-Si/SiO2/SiNx/SiC

有机材料:

Polymer/PR/SU8/PMMA

炭基材料:

金刚石/类金刚石/石墨烯

III-V材料:InP/GaAs/GaN

磁性材料/合金材料/金属材料:Ni/Cr/Al/Cu/Au

深硅蚀刻